Программа подготовки аспирантов:
03.06.01_07 «Физика полупроводников»
Планируемые результаты освоения
Универсальные компетенции: способность к критическому анализу и оценке современных научных достижений; генерирование новых идей при решении исследовательских и практических задач, в том числе в междисциплинарных областях; способность проектировать и осуществлять комплексные исследования, в том числе междисциплинарные, на основе целостного системного мировоззрения с использованием знаний в области истории и философии науки; готовность участ- вовать в работе научных и научно-образовательных задач; готовность использовать современные методы и технологии научной коммуникации на государственном и иностранном языках; способ- ность следовать этическим нормам в профессиональной деятельности; способность планировать и решать задачи собственного профессионального и личностного развития.
Общепрофессиональные компетенции: владение методологией теоретических и экспери- ментальных исследований в области профессиональной деятельности; владение культурой науч- ного исследования, в том числе с использованием современных информационно- коммуникационных технологий; способность к разработке новых методов исследования и их при- менению в самостоятельной научно-исследовательской деятельности в области профессиональной деятельности; готовность организовывать работу исследовательского коллектива в области про- фессиональной деятельности; способность объективно оценивать результаты исследований и раз- работок, выполненных другими специалистами и в других научных учреждениях; способность представлять полученные результаты научно-исследовательской деятельности на высоком уровне и с учётом соблюдения авторских прав; владение методами проведения патентных исследований, лицензирования и защиты авторских прав при создании инновационных продуктов в области про- фессиональной деятельности; готовность к преподавательской деятельности по основным образо- вательным программам высшего образования.
Профессиональные компетенции: способность организовать диссертационные исследования и защиту прав на результаты ин- теллектуальной деятельности (ПК-1); способность самостоятельно приобретать новые знания и умения с помощью технологий электронного обучения и использовать их в практической деятельности (ПК-2); способность владеть методологией теоретических и экспериментальных исследований в области физики полупроводников (ПК-3); способность к разработке новых методов исследования и их применению в самостоятель- ной научно-исследовательской деятельности в области физики полупроводников с учетом правил соблюдения авторских прав (ПК-4); способность организовать научное исследование в области физики низкоразмерных систем, в том числе с использованием новейших информационно-коммуникационных технологий (ПК-5); готовность организовать работу исследовательского коллектива (ПК-6).
Цель и концепция программы
Цель программы аспирантуры – подготовка квалифицированных научных и научно- педагогических кадров в области физики полупроводников и полупроводниковых наноструктур.
Разработка и создание новых материалов, устройств, технологий современной электроники и наноэлектроники невозможны без глубокого понимания и изучения физических процессов в полупроводниках и полупроводниковых нано- и микроструктурах. В области интересов данной спе- циальности находятся механические, электрические, магнитные, оптические и другие свойства полу- проводников и полупроводниковых структур.
Основой программы, реализуемой в СПбГПУ, являются труды ученых и преподавателей ка- федры в областях физики собственных, примесных и неупорядоченных полупроводников, закономер- ностей неравновесных процессов в полупроводниках, физики и техники полупроводниковых прибор- ных структур, оптически активных материалов, технологии полупроводниковых кристаллов, пленок, гомо- и гетероструктур, включая наноструктуры с квантовыми ямами и квантовыми точками.
Концепция программы реализуется на основе сочетания теоретического и практического подхода к обучению аспирантов таким образом, чтобы полученные знания, умения и навыки по- зволяли выпускникам осуществлять научное руководство научно-исследовательской и проектной деятельностью в различных направлениях физики полупроводников на международном уровне, применять перспективные теории, технологии и оборудование, интерпретировать и представлять результаты научных исследований, знать теоретические основы в данной области, а также уметь использовать данную информацию в своей научно-исследовательской, прикладной и проектной деятельности.
Уникальность программы заключается в том, что при ее реализации учитывается принцип по- литехнического образования, а также принцип комплексности при изучении предлагаемых дисциплин. К учебному процессу привлекаются ведущие ученые научно-исследовательских организаций Санкт- Петербурга.
Возможные места трудоустройства выпускников: университеты и институты Российской ака- демии наук, организации и научно-производственные предприятия, занимающиеся научными исследо- ваниями, а также разрабатывающие и производящие высокотехнологичную продукцию в области мик- ро-, опто- и наноэлектроники: ФТИ РАН им.А.Ф.Иоффе, ОАО «Светлана», ОАО ЦНИИ «Электрон», ОАО «НИИ «ФЕРРИТ-ДОМЕН», ОАО «НИИ Гириконд», ЗАО «Светлана-Оптоэлектроника», ЗАО «Полупроводниковые приборы», и др., а также зарубежные университеты и фирмы.
Условия обучения
Срок обучения – 4 года (очная форма), 5 лет (заочная форма). Обучение возможно как по бюд- жету, так и по контракту.
Профессорско-преподавательский персонал
Реализация программы аспирантуры осуществляется высококвалифицированным профес- сорско-преподавательским персоналом кафедры «Физика полупроводников и наноэлектроника», включающим 8 профессоров, д.ф.-м.н. и 9 доцентов, к.ф.-м.н. Все преподаватели являются актив- но работающими учеными в области физики полупроводников и наноэлектроники. В частности, в преподавании участвуют: лауреат Государственной премии СССР, заслуженный деятель науки РФ, профессор, д.ф.-м.н. Леонид Евгеньевич Воробьев; заведующий кафедрой, профессор, д.ф.-м.н. Дмитрий Анатольевич Фирсов, известный специалист в области полупроводниковой оп- тоэлектроники; профессор, д.ф.-м.н. Юрий Георгиевич Шретер, известный специалист в области физики и технологии широкозонных полупроводников.
Возможные места практики
Практика проводится на предприятиях и научных учреждениях С.-Петербурга (ФТИ им. А.Ф.Иоффе РАН, Академический университет, ЗАО «Полупроводниковые приборы» и др.)
Лаборатории и оборудование
Современное технологическое и измерительное оборудование распределено по следующим ла- бораториям кафедры "Физика полупроводников и наноэлектроника": - Лаборатория оптики неравновесных носителей заряда в полупроводниках - взаимодействие оптического излучения с неравновесными электронами в полупроводниках и в квантово-размерных структурах, оптоэлектронные приборы на неравновесных носителях заряда и диагностика полупро- водниковых материалов и наноструктур. - Лаборатория внутреннего фотоэффекта - пленки и структуры на основе халькогенидов свинца и твердых растворов, размерно-квантованные структуры, процессы роста, взаимодействия дефектов, электрофизические, оптические и фотоэлектрические свойства. - Лаборатория сканирующей туннельной микроскопии и туннельной спектроскопии. - Лаборатория высокотемпературной сверхпроводимости - кинетические явления и зонный спектр керамик. - Лаборатория оптико-физических исследований - глубокие уровни в полупроводниках, нано- композиты. - Лаборатория исследований широкозонных полупроводников. - Лаборатория светоизлучающих диодных структур на основе широкозонных нитридов.
Информационно-методическое обеспечение
Обучение по аспирантской образовательной программе полностью обеспечено учебной ли- тературой, находящейся в библиотеке университета и на кафедре «Физика полупроводников и на- ноэлектроника». В свободном доступе имеются интернет-ресурсы, содержащие учебные пособия и справочные материалы.